變頻器常見(jiàn)的頻率給定方法首要有幾種 變頻器常見(jiàn)的頻率給定方法有鍵盤模擬電位器給定(鍵盤∧Ⅴ鍵)；功用碼數(shù)字給定；串行口給定；端子UO/DOWN給定；模擬電壓給定(外控0~5V、0~10V)；模擬電流給定(外控4~20mA)；脈沖給定；組合給定(可多種給定隨時(shí)切換)，僅僅方法不同，本質(zhì)是一回事。
高性能矢量變頻器是使用變頻技能與微電子技能，通過(guò)改變電機(jī)工作電源頻率方法來(lái)操控溝通電動(dòng)機(jī)的電力操控設(shè)備，變頻調(diào)速器首要由整流、濾波、逆變、制動(dòng)單元、驅(qū)動(dòng)單元、檢測(cè)單元、微處理單元等組成。變頻器靠?jī)?nèi)部GBT的開(kāi)斷來(lái)調(diào)整輸出電源的電壓和頻率，根據(jù)電機(jī)的實(shí)際需求來(lái)供給所需求的電源電壓，進(jìn)而達(dá)到節(jié)能、調(diào)整的目的。別的，變頻器還有許多保護(hù)功用，如過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)載保護(hù)等等。
那么通用變頻器電機(jī)線配線需求留意的5個(gè)事項(xiàng)你知道嗎？小編就說(shuō)一下通用變頻器電機(jī)線配線留意事項(xiàng)：
◆禁止將變頻器輸出端子短接或接地，不然將導(dǎo)致變頻器內(nèi)部器材損壞。
◆防止輸出線與變頻器外殼短路，不然有觸電風(fēng)險(xiǎn)。
◆禁止在變頻器的輸出端連接電容或相位超前的LC/RC噪聲濾波器，不然將導(dǎo)致變頻器內(nèi)部器材損壞。
◆在變頻器與電機(jī)之間安裝接觸器時(shí)，不能在變頻器運(yùn)轉(zhuǎn)中進(jìn)行輸出端接觸器開(kāi)關(guān)動(dòng)作，不然會(huì)有很大的電流流入變頻器，使變頻器保護(hù)動(dòng)作。
◆變頻器與電機(jī)間的電纜長(zhǎng)度： 當(dāng)變頻器與電機(jī)間電纜較長(zhǎng)時(shí)，輸出端的高次諧波漏電流會(huì)對(duì)變頻器和外圍設(shè)備產(chǎn)生不利影響。主張電機(jī)電 纜超越100米時(shí)，安裝輸出溝通電抗器。
變頻調(diào)速體系結(jié)構(gòu)與原理
變頻器的概述
直流電動(dòng)機(jī)調(diào)速體系具有良好的啟動(dòng)、制動(dòng)性能及在大范圍內(nèi)平滑調(diào)速的長(zhǎng)處，因此在曩昔很長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)，在需求進(jìn)行調(diào)速操控的拖動(dòng)體系中一直占有主導(dǎo)地位。但是直流電動(dòng)機(jī)采用機(jī)械換向器換向，其單機(jī)容量、最高電壓、最大轉(zhuǎn)速等方面受到限制，并且保護(hù)、修理復(fù)雜。20世紀(jì)70年代以來(lái)，跟著溝通電動(dòng)機(jī)調(diào)速體系理論、電力電子技能、以微處理器為核心的全數(shù)字化操控等關(guān)鍵技能的發(fā)展，溝通電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速技能逐漸成熟?，F(xiàn)在，變頻調(diào)速技能的使用簡(jiǎn)直現(xiàn)已擴(kuò)展到了工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域的一切普通溝通異步電動(dòng)機(jī)的調(diào)速操控，并且在空調(diào)、洗衣機(jī)、電冰箱等家電產(chǎn)品中也得到了廣泛的使用
變頻器的界說(shuō)及分類
界說(shuō)：
變頻器是一種利用電力半導(dǎo)體器材的通斷作用，將工頻溝通電換成頻率、電壓連續(xù)可調(diào)的溝通電的電能操控設(shè)備。
變頻器中常用電力半導(dǎo)體器材
現(xiàn)在，通用變頻器逆變電路使用的電力半導(dǎo)體器材首要有電力晶體管GTR、電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET、絕緣柵雙極晶體管IGBT、門極可關(guān)斷晶體管GTO和智能功率模塊IPM等。首要介紹GTR 、MOSFET和IGBT。
1、大功率晶體管（BJT或GTR
（1）特點(diǎn)：是一種雙極結(jié)型晶體管，實(shí)際上是復(fù)合晶體管（達(dá)林頓管）。其基本結(jié)構(gòu)與晶體管相同，由集電極C，放射極e和基極b，集電極電流ic的巨細(xì)受基極電流IB的操控，屬電流操控型器材。
（2）優(yōu)缺點(diǎn)：
（優(yōu)）擊穿電壓和集電極最大飽和電流都較大。
（缺）開(kāi)關(guān)頻率較低，最高２ＫHZ，因而以大功率晶體管為逆變器材的變頻器負(fù)載波頻率也很低，電動(dòng)機(jī)電磁噪聲大。此外，操控電路的驅(qū)動(dòng)功率也較大。
2、功率場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）
（1）特點(diǎn)：與場(chǎng)效應(yīng)管相同，由漏極d，源極s和操控極g構(gòu)成。漏極電流id的巨細(xì)受操控極與源極間的電壓ＵＧＳ 的操控，屬電壓操控。
（2）優(yōu)缺點(diǎn)：
（優(yōu)）MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率較高，最高達(dá)20kHZ，設(shè)MOSFET為逆變管的變頻器的載波頻率也較高，下降電機(jī)電磁噪聲。操控電路所需驅(qū)動(dòng)功率較小。
（缺）MOSFET的擊穿電壓和漏極最大飽和電流較小，難以滿足多數(shù)變頻器的要求。
3、絕緣柵雙極性晶體管（IGBT管）
1）特點(diǎn)：是MOSFET和BJT結(jié)合產(chǎn)物，其主體部分與晶體管相同，也是集電極c和發(fā)射極e；但驅(qū)動(dòng)部分卻和場(chǎng)效應(yīng)管相同，是絕緣柵結(jié)構(gòu)。集電極電流ic的巨細(xì)受操控極與放射極間的電壓ＵＧＥ 的操控，也屬于電壓操控型器材。使用時(shí)常在 管旁并聯(lián)一個(gè)反向續(xù)流二極管，且做成雙管或六管模塊。
